VS-GB150TH120N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Integrierte schaltkreise (ICS)
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120N
| Artikelnummer: | VS-GB150TH120N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GB150TH120N.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 150A Supplier Device-Gehäuse Double INT-A-PAK Serie - Leistung - max 1008 W Verpackung / Gehäuse Double INT-A-PAK (3 + 4) Paket Bulk Betriebstemperatur 150°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 11 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 300 A Konfiguration Half Bridge Grundproduktnummer GB150 VS-GB150TH120N Einzelheiten PDF [English] VS-GB150TH120N PDF - EN.pdf -
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